氩离子抛光仪/CP离子研磨截面抛光仪

氩离子抛光仪/CP离子研磨截面抛光仪

1. 图片展示

金鉴实验室氩离子抛光CP研磨制样视频

优势:

具备样品切割和抛光两项功能;

配温控液氮冷却台,去除热效应对样品的损伤,有助于避免抛光过程中产生的热量而导致的样品融化或者结构变化;

配碳/铬镀膜,对于同一个样品,可在同一真空环境下完成抛光及镀膜,防止样品氧化,可以用于SEM/FIB导电镀膜样品制作。

2. 原理

氩离子切割制样是利用氩离子束(〜1mm)来切割样品,以获得相比FIB制样(通常十几微米)面积更大的电子显微分析区域。其制样原理是用一个坚固的挡板遮挡住样品的非目标区域,有效的遮蔽了下半部分的离子束,创造出一个侧切割平面,去除样品表面的一层薄膜。

氩离子抛光技术又称CP截面抛光技术,是对样品表面进行抛光,去除损伤层,从而得到高质量样品,用于在SEM,光镜或者扫描探针显微镜上进行成像、EDS、EBSD、CL、EBIC 或其它分析。

针对不同的样品的硬度,设置不同的电压、电流、离子枪的角度、离子束窗口,控制氩离子作用的深度、强度、角度、这样较精准的参数,有利于制备成研究者理想的材料样品,这样的样品不仅表面光滑无损伤,而且还原材料内部的真实结构。

3. 氩离子抛光与切割/CP截面抛光的优点

机械抛光的缺点

相比较下氩离子抛光/CP截面抛光的优点: (1)对由硬材料和软材料组成的复合材料样品, 能够很精细地制作软硬接合部的截面, 而使用传统方法制样是很困难的。

(2)比FIB方法的抛光面积更大(~1mm以上)。

4. 寄样要求

1. 送样前需要对样品进行预处理:样品预磨抛,样品要磨平,样品的上下表面要平行,样品抛光面至少用4000目砂纸磨平,在显微镜下看起来光滑,不粗糙。

2. 金鉴样品的尺寸要求:

2.1块状样品:以待抛光区域为中心点,样品直径不超过30mm、厚度0~20mm。(超出部分需要磨走)

2.2粉末样品:10g以上。

注:具体的样品要求可咨询在线业务!

5. 案例分析

(1)金属结合面

(2)锂电池石墨电极截面观察

(3)锂电池石墨颗粒平面抛

(4)线路板截面抛光

(5)芯片N极截面抛光

(6)支架镀层二焊点截面抛光

(7)支架镀层结构截面抛

(8)页岩抛光

(9)样品抛光后显示出高度孪晶的晶粒

(10) 抛光后的锆合金的菊池花样

(11)EBSD欧拉角分布图

(12)IPFZ 面分布

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